NUS的計算機和電子工程所副教授Yang Hyunsoo領導的團隊完成了這一研究工作，他表示，如果想要制造出一個完全可彎曲設備，那么它的所有部件都必須是可彎曲的。

他們的主要研究目標是用新型存儲設備磁阻隨機存儲器（MRAM）替換現(xiàn)有的存儲設備，例如動態(tài)隨機存儲器DRAM和閃存。

MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一種非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。

如果想要制作出可彎曲的電子芯片，就必須使用塑料替代易碎的硅基底。但是由于厚度的緣故，塑料基底的DRAM和NAND存儲器幾乎不可能實現(xiàn)。

現(xiàn)在，研究人員已經(jīng)開始聯(lián)系相關企業(yè)，討論這一技術的大規(guī)模應用。科技愛好者們對于完全可彎曲電子產(chǎn)品的前景非常感興趣，不過一項技術從實驗室走向大眾市場仍然需要好多年的努力。

從前面的介紹我們可以知道，MRAM有幾大優(yōu)點，超高速讀寫能力，集成度高，可制作成可彎曲設備。而目前的VR設備則非常笨重，性能需求度高，有了MRAM技術的加持，相信未來的VR設備將與可彎曲可穿戴設備結合，成為輕便，高韌性的真正意義上的眼鏡式頭顯。當然，想要實現(xiàn)這一點，我們還需要走很長一段路。